现代半导体器件物理

出版时间：2002-7  出版社：科学出版社  作者：(美) 施敏  页数：428  
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内容概要

本书是1981年版《半导体器件物理》的续编。书中详细介绍了近20年来经典半导体器件的新增功能及新型半导体器件的物理机制。全书共八章，内容涉及先进的双极晶体管和异质结器件，金属-半导体接触及各种场效应晶体管，功率器件、量子器件、热电子器件、微波器件、高速光子器件，以及太阳能电池等。各章末除附有习题外还给出了尽可能多的参考文献。书后附录提供了符号表、国际单位制基本单位、物理常数、晶格常数最新值，以及元素半导体，二元、三元化合物半导体和绝缘体的特征。
    本书可作为应用物理、电子工程电机、材料科学领域大学本科生及研究生教材，也可供在半导体器件领域工作的科学家与工程师参考。

书籍目录

1，双极晶体管
2，化合物半导体场效应晶体管
3，MOSFET及其相关器件
4，功率器件
5，量子效应和热电子器件
6，有源微波二极管
7，高速光子器件
8，太阳电池
附录A  符号表
附录B  国际单位制（SI单位）
附录C  单位词头
附录D  希腊字母
附录E  物理常数
附录F  300D的晶格常数
附录G  重要的元素和二元半导体性质
附录H  Si和GaAs在300K的性质
附录I  3-V族三元化合物半导体的性质
附录J  SiO和SiN在300K的性质
索引