半导体器件物理基础

出版时间：2002-2  出版社：北京大学  作者：曾树荣  页数：241  字数：395000  
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内容概要

本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分，介绍学习半导体器件必需的知识，包括半导体基本知识和p-n结理论；其余各章为第二部分，阐述半导体器件的基本原理及双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件、有源微波二极管和光电器件等半导体器件。    本书简明扼要，既着重于基本的半导体器件及其基本知识，也涉及了半导体器件领域内的新进展和新概念，可作为电子信息专业特别是微电子学专业的教材或参考书，分章节供本科生和研究生使用；也可供有关研究人员参考。

书籍目录

主要符号表第一章 半导体基本知识  半导体中的载流子  晶格振动  载流子输运现象  半导体的光学性质第二章  p-n结  热平衡状态  耗尽区和耗尽层电容  直流特性  交流小信号特性；扩散电容  电荷存储和反向恢复时间  结的击穿第三章 双极型晶体管  基本原理  双极型晶体管的直流特性  双极型晶体管模型  双极型晶体管的频率特性  双极型晶体管的开关特性  异质结双极晶体管  多晶硅发射极晶体管  p-n-p-n结构第四章 化合物半导体场效应晶体管  肖特基势垒和欧姆接触  GaAs MESFET  高电子迁移率晶体管第五章 MOS器件  MOS结构的基本性质  MOS场效应晶体管的基本理论  短沟道MOSFET  SOI MOSFET  埋沟MOSFET  电荷耦合器件第六章 有源微波二极管  隧道二极管  共振隧穿二极管  IMPATT二极管  转移电子器件第七章 半导体激光器和光电二极管  半导体激光器的基本结构和工作原理  半导体激光器的工作特性  双异质结激光器  量子阱激光器  光电二极管主要参考文献